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晶体管RSQ035P03TRFET-MOSFET

发布时间:2018-9-12 11:49:00 访问次数:70 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

RSQ035P03TR介绍:

描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 带卷(TR)

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.2nC @ 5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TSMT6(SC-95)

封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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