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MMRF5017HSR5射频功率 GaN 晶体管高端精品亮相！

发布时间:2018/8/20 10:21:00 访问次数:358 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司

MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管 NXP 的 MMRF5017HS 高增益和高坚固性使该器件非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用

NXP 的 MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管图NXP的 MMRF5017HS 125 W 射频功率 GaN 晶体管能够在 30 MHz 至 2200 MHz 的宽频带内工作，非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用。对于工作在 30 MHz 至 2200 MHz 频段的应用，提供性能保证。

特性
先进的 GaN on SiC 技术，实现了高功率密度 十年带宽性能 输入匹配，以扩展宽带性能 高坚固性：> 10:1 VSWR 符合 RoHS 规范
应用
公共移动无线电，包括应急服务无线电 工业、科技和医疗 (ISM) 宽带实验室放大器 无线蜂窝基础设施
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