供应IPP60R600C6

型号：IPP60R600C6
品牌：Infineon Technologies
封装：PG-TDSON-8
批号：18+
数量：1000个




FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 63W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3




IPP65R600C6
IPB107N20N3G
IPB107N20N3G
BSZ019N03LS
BSC067N06LS3G
BSZ180P03NS3G
BSC057N08NS3G
IR21271STRPBF
IPB200N25N3G
IPP032N06N3G
IPP075N15N3G
IPB083N10N3G
IPP023NE7N3G
IPD60R1K4C6
IPU60R1K5CE
IPP015N04NG
IPA60R950C6
TLE5012BE1000
IR3563BMTRPBF
IR38062MTRPBF
IR38060MTRPBF
IR3566BMTRPBF
1ED020I12FA2
TLI4961-1M
IKW40N120T2




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