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IRFB38N20DPBF

发布时间:2018-8-9 11:51:00 访问次数:85 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

标准包装IRFB38N20DPBF-ND;part_id=811311;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" /> 1,000 包装 管件 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET®
规格

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 54 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 91nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220AB 封装/外壳 TO-220-3

主要产品线
Ø 功率器件POWER---大功率MOSFET,如STM,IR,FSC品牌
Ø MCU---8位、16位、32位单片机,如ST,NXP,SAMSUNG品牌
Ø 可编程器件FPGA,DSP---如XILINX,TI品牌
Ø 数模/模数转换AD/DA---如AD,MAXIM品牌
Ø 传感器---如OPTEK,AVAGO,ST品牌
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