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晶体管IPB100N04S2-04FET-MOSFET

发布时间:2018-8-9 10:39:00 访问次数:93 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

IPB100N04S2-04介绍:

描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 172nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO263-3-2

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


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因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。

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