产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 10.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 106 W
商标名: SuperFET II
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品: MOSFET
系列: FCD380N60E
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 10 S
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 260.370 mg
