位置:51电子网 » 企业新闻

晶体管TK16J60WFET-MOSFET

发布时间:2018-7-11 11:29:00 访问次数:95 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

TK16J60W介绍:

描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 通孔 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSIV

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 790μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 300V

FET 功能 超级结

功率耗散(最大值) 130W(Tc)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3P(N)

封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


安富利(深圳)商贸有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势!

所出的物料,绝对原装正品!放心购买!

本公司为一般纳税人,可开16%增值税票!欢迎垂询!

地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201

电话:0755-83259719


晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件,例如数字计算。在控制电器和机械方面,晶体管电路也正在取代电机设备,因为它通常是更便宜、更有效地,仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务,使用电子控制,而不是设计一个等效的机械控制。因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。

相关新闻

相关型号