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晶体管-FETFDMS7558SMOSFET-单

发布时间:2018-7-11 11:26:00 访问次数:107 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

FDMS7558S介绍:

描述 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 32A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) 8-PQFN(5x6)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),49A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.25 毫欧 @ 32A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 119nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7770pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),89W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-PQFN(5x6)

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料。

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