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FDP20N50

发布时间:2018-7-11 10:47:00 访问次数:87 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FDP20N50

FDP20N50F

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 230 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3120pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

ADS1298IPAGR
N79E715AS16
NAU8810YG
NAU88L25YG
LNK562PN
ADUM3151BRSZ
ADR435ARMZ
ADN8834ACPZ-R2
ADN8834ACPZ-R7
LCS705HG
N76E003AT20
N76E003AT20
IDTP9038
PVT322SPBF
N79E814AT28
N79E814AS20
N79E823ASG
N79E814AT20
N79E8132AS16
IPD60R1K0CE
IPD60R400CE
如需产品图片请加QQ:2206378527 微信:15920058326
公司:深圳市裕硕科技有限公司
联系人:雷先生
手机:15920058326
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