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IPB200N25N3G全新到货

发布时间:2018-7-11 10:26:00 访问次数:112 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7100pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB




NUC131LC2AE
NUC972DF62Y
NUC200LD2AN
NUC472VI8AE
NUC140RE3CN
NUC501BDN
I15D00YYI
I8101SYI
I8101SYI
NUC200SC2AN
NANO100KE3BN
NANO110KE3BN
NANO102LC2AN
NANO130KE3BN
NANO130SE3BN
NANO110SE3BN
NM1200TBAE
NUC230SE3AE
NUISD-DMK-15100
NUC100LC1DN
N32915U3DN
N32926O2DN
N32926U1DN
NUC502BDN
M451MLD3AE
M0516LDN
M0518LC2AE
M054LDN
M052ZDN
M052LDN
M0518LD2AE
NUC029LAN
NUC029LAN
N79E715AS16
NAU8810YG
NAU88L25YG
N76E003AT20
N79E814AT28
N79E814AS20
N79E823ASG
N79E814AT20
N79E8132AS16
W90P710CDG
M451LE6AE
M451RE6AE
NUC505DS13Y

公司名:深圳市裕硕科技有限公司
联系人:田顺
手机:13510131896
QQ:875920352 微信:t2982331165
专线1:86-0755-82767795
专线2:86-0755-23615309
传真:86-0755-23613962
EAMIL:yfmkj89@126.com
公司网站:www.yushuokj.com


地址:深圳市福田区上步工业区501栋488室

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