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IPD60R1K0CE

发布时间:2018-7-11 10:15:00 访问次数:100 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 130μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 37W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-252-3

IPA60R650CE
WT751002S
MCP73833T-FCI/MF
SMM02040C1001FB300
SMM0204C1001FB00
TLV4906K
TLI5012 BE1000
TLI5012BE1000
BU9799KV-E2
IPD135N03LG
IKW40T120
IRG4BC30SPBF
M451LE6AE
M451RE6AE
IRFB4110PBF
IPB049NE7N3G
MSM9842GAZ03A
IKA10N60T
MAX3395EETC+
CPC1017NTR
FI-B2012-472KJT
IKW75N60TA
IKW75N60TA
IRF6727MTRPBF
IRF60DM206
BNX005-01
PE45140A-X
IPB039N10N3G
IPB072N15N3G
IPB072N15N3G
IPB200N25N3G
IR3841WMTRPBF
IRF7780MTRPBF
MMA02040C1001FB300
MIC4680-5.0YM
TLE4208G
TLE4946-2L
IRF7580MTRPBF
NUC505DS13Y
OMAP3530ECUSA
IRGP50B60PD1PBF
MBRD640CTT4G
MINI58ZDE
MINI58FDE
MINI54LDE
MA46H202-1056
NJM386BM
IKCS12F60F2C
BUK768R1-100E
PE64904MLBB-Z
NUC240LE3AE
IGCM15F60GA
IPP037N06L3G
IRF2907ZPBF
TNY274PN
如需产品图片请加QQ:2206378527 微信:15920058326
公司:深圳市裕硕科技有限公司
联系人:雷先生
手机:15920058326
电话:0755-23615309/82767795
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