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供应IPP032N06N3G全新原装原包

发布时间:2018-7-11 9:56:00 访问次数:104 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

IPP032N06N3G规格:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 118μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 188W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 100A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3

IPP034N03LG:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 80A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)51nC @ 10V
Vgs(最大值)5300pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 94W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.4 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3



公司名:深圳市裕硕科技有限公司
联系人:田顺
手机:13510131896
QQ:875920352
专线1:86-0755-82767795
专线2:86-0755-23615309
传真:86-0755-23613962
EAMIL:yfmkj89@126.com
公司网站:www.yushuokj.com


地址:深圳市福田区上步工业区501栋488室

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