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RZF020P01TL

发布时间:2018-7-11 9:42:00 访问次数:104 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 800mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TUMT3
封装/外壳 3-SMD,扁平引线

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