位置:51电子网 » 企业新闻

晶体管-FETUS5U38TRMOSFET

发布时间:2018-7-10 16:53:00 访问次数:69 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

US5U38TR介绍: 描述 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 包装 ? 带卷(TR) ? 零件状态 不適用於新設計 FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值) ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 10V FET 功能 肖特基二极管(隔离式) 功率耗散(最大值) 1W(Ta) 工作温度 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 TUMT5 封装/外壳 6-SMD(5引线),扁引线 安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、 ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、 台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、 摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
安富利(深圳)商贸有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势! 所出的物料,绝对原装正品!放心购买! 本公司为一般纳税人,可开16%增值税票!欢迎垂询! 地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201 电话:0755-83259719
以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料,但随着半导体技术的进步,现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。

上一篇:MT7201C

下一篇:MBI6024GP

相关新闻

相关型号