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IPB200N25N3G

发布时间:2018-7-10 16:12:00 访问次数:89 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7100pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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