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IPD65R650CE

发布时间:2018-7-10 14:50:00 访问次数:88 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 210μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 86W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3

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