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晶体管AOD4N60FET-MOSFET-单

发布时间:2018-7-9 17:30:00 访问次数:97 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

AOD4N60介绍: 描述 MOSFET N-CH 600V 4A TO252 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 制造商标准提前期 26 周 详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak) 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 - 包装 ? 带卷(TR) ? 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.3 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V Vgs(最大值) ±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 104W(Tc) 工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 TO-252,(D-Pak) 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、 ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、 台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、 摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。

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