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供应:SPP08N80C

发布时间:2018-7-9 14:31:00 访问次数:81 发布企业:深圳市金嘉锐电子有限公司

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PG-TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
系列: CoolMOS C3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns

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