供应：SI4948BEY-T1-E3

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Id-连续漏极电流: - 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V
Qg-栅极电荷: 14.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 2.4 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SI4
晶体管类型: 2 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 8.5 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 10 ns