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晶体管IPP126N10N3GXKSA1MOSFET-单

发布时间:2018-7-9 10:35:00 访问次数:93 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

IPP126N10N3GXKSA1介绍:

描述 MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 26 周

详细描述 通孔 N 沟道 100V 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12.3 毫欧 @ 46A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 94W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


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电话:0755-83259719


晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一,在重要性方面可以与印刷术,汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。晶体管在当今社会的重要性,主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程,进行大规模生产的能力,因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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