产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 18.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流: 6.3 A
输出功率: 60 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 90 C
Pd-功率耗散: -
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QSOP-20
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
应用: -
配置: Single
工作频率: 2.7 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 90 C
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: -
闸/源截止电压: -
类: -
湿度敏感性: Yes
NF—噪声系数: -
P1dB - 压缩点: -
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: -
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
单位重量: 241.200 mg
