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IPD60R650CE

发布时间:2018/5/23 17:59:00 访问次数:232 发布企业:深圳市朱博士电子科技有限公司

型号:IPD60R650CE

品牌:INFINEON

参数说明:

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 63W(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 2.4A,10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

深圳市中意法电子科技有限公司

联系人:王利娟
电话:(86)-755-83267371/13823141664
Q Q :2853522054

地址:深圳市福田区振华路118号华丽大院1栋408

网址: http//www.sth-ic.com

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