深圳市哲瀚电子科技优势供应华润矽威系列产品：PT4115 PT4119PT4205PT4211PT4121 PT4238 PT4240A PT4516 PT4213等更多产品，欢迎来电咨询0755-83224649陈小姐/QQ3012323310。
工作方式：PWM； 输入电压：0.8-6/V； 输出电压：3.3-12/V； 静态功耗：14UA； 工作频率：500KHZ； 效 率：90%； 开关管：内置/外置； 电流：100MA/700MA； 封装：SOT-89-5;SOT-23-6.
1：完全兼容RT9266;1节/2节碱性电池给手机电池充电 ；
2：Vin:0.8"6.0v Vout:3.3"12v Iout:内置MOS最大100MA，可外置MOS扩流；静态电流14uA;
3：采用PWM控制环路，0.8V启动电压，内部含有2A功率开关，在锂电供电时最大输出电流可达700mA，
4: 可以外接MOSFET扩流，开关频率500KHZ，输出电压由两个外部电阻调节，14uA的静态电流；
5: 内置MOS：1.5升至3.3，输出电流可以达到100mA；
6: 外置MOS：1.5V电压升压至3.3V时输出电流可以达到250mA，5V升至12V时输出电流可以达到300mA；
7：两节干电池供电，输出1W、3W/LED最大电流可达700MA；
8: 封装：SOT-89-5;SOT-23-6；
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全球半导体代工排名第二的格罗方德(Globalfoundries)在代工制程节点上，跳过了10纳米制程，直接进攻7纳米制程，且还宣布以7纳米制程生产的超微(AMD)Zen 2架构处理器将在2018年底前亮相。不过，针对下一代制程节点，格罗方德似乎要再跳跃一次，省略晶圆代工龙头台积电积极布局的5纳米制程，直接往3纳米制程前进。
根据新上任的格罗方德执行长Tom Caulfield指出，目前格罗方德最需要的就是新发展机会。虽然格罗方德是全世界市占率仅次台积电的半导体代工厂商，但整体来说营运却谈不上多成功。
首先技术面，相较台积电、三星落后许多，以致14纳米的节点上，放弃了自家研发的14纳米XM技术，改用三星14纳米制程全套授权，才较稳定提供AMD及其他客户14纳米制程产能，整体获利情况不佳，也是格罗方德当前亟需改变的地方。
Tom Caulfield进一步指出，格罗方德之前跳过20纳米及10纳米制程节点，直接进入14纳米及7纳米制程节点，14纳米制程稳定量产，而7纳米制程预计在2018年底前量产。制程进展从合作伙伴AMD得到的反应都还不错，可让AMD的Zen 2、Zen 3架构处理器按计划执行生产。
更新一代的制程，竞争对手台积电与三星都在大力推动5纳米制程发展，且还预计有改良版的4纳米制程等。反观格罗方德情况较复杂，除了可能受不了这么多制程节点的折腾，Tom Caulfield还表示，目前还不能确定格罗方德的5纳米制程能否得到客户的广泛支援。
对3纳米制程节点，Tom Caulfield表示格罗方德未来不仅不会缺席，还预计建造一座新晶圆厂专司3纳米制程节点生产，这也意味着格罗方德有可能如同跳过10纳米制程节点，直接跳过5纳米制程，直接进入3纳米制程技术。
根据台积电、三星的规划，两家公司的5纳米制程预计在2020年前后量产。如果格罗方德决定跳过这个节点，AMD下一代Zen架构处理器可能直接使用3纳米制程技术。对照之前传出的消息，显示AMD已表示在开发Zen 5架构处理器了，但2020年前还难以问世，因AMD的官方路线图中，2020年都是采用7纳米EUV制程的Zen 3架构产品。所以，真正要见到3纳米制程的AMD Zen 5架构产品，最快大概要在2021年到2022年之间了。
但这都仍是格罗方德“规划中”的事。Tom Caulfield承认，依格罗方德的财力来说，不可能很快开始兴建3纳米制程晶圆厂;但新工厂能带来大量就业机会，故格罗方德需要政府部门大量补贴，这也使3纳米制程晶圆厂的建厂计划还在与各方谈判。Tom Caulfield也和母公司──阿布达比的穆巴达拉投资公司去美国华盛顿游说，希望获得美国联邦基金支持。
格罗方德主产14纳米制程的晶圆厂，包括德国萨克森州晶圆厂，以及纽约马尔他地区的Fab 8晶圆厂。德国萨克森州晶圆厂投入1美元可赚25美分，纽约马尔他Fab 8晶圆厂目前还没有获利。新的3纳米制程晶圆厂要设在哪边，Tom Caulfield表示还需慎重规划。
Tom Caulfield想用国家安全的名义来争取美国政府补贴，因在美国建设3纳米制程晶圆厂，对美国国家安全及创造就业非常重要，除使企业能在美国境内获得稳定的晶圆产能供应外，也能产生大量就业机会，Tom Caulfield目前正积极运作，希望美国政府从格罗方德的角度协助建厂。届时能否完成，有待后续观察。
