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Infineon 600V CoolMOS™ CFD7高压超级结MOSFET非常适合用于谐振大功率拓扑结构,采用最新的高压超级结MOSFET技术。这些MOSFET内置快速体二极管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS应用包括服务器、电信和EV充电站。
特性
超快体二极管
同类最佳的反向恢复电荷
增强了反向二极管dv/dt和diF/dt耐用性
极低FOM RDS(on)*Qg和EOSS
同类最佳的RDS(on)/封装组合
同类最佳的硬换向耐久性
可靠性极高,适用于谐振拓扑结构
可在目标应用中实现极高效率
实现超高功率密度解决方案
应用
服务器
电信
EV充电
SMPS
PC电源
IPW60R070CFD7XKSA1
IPP60R070CFD7XKSA1
IPA60R170CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7XKSA1
IPA60R280CFD7XKSA1
IPD60R170CFD7ATMA1
IPP60R170CFD7XKSA1
IPD60R280CFD7ATMA1
IPW60R170CFD7XKSA1
IPP60R280CFD7XKSA1
IPL60R185CFD7AUMA1
IPL60R075CFD7AUMA1
IPW60R070CFD7XKSA1 制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 31 A
Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 67 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
系列: CoolMOS CFD7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 6 ns
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 240
典型关闭延迟时间: 99 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
零件号别名: IPW60R070CFD7 SP001617990
深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。 我们以低成本提供全方位一站式电子元件供应链采购方案,包括但不仅限于电子元件紧急物料搜寻,电子元件齐套供应、电子元件降低成本的长期供应,库存寄售等一系列供应链解决方案。优势供应各类电子组件.
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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区,另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。
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公司经营目标:整合全球资源全 芯 全意为您服务。
公司服务宗旨:客户虐我千百遍,我待客户如初恋。