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PS9634

发布时间:2018-3-13 10:22:00 访问次数:103 发布企业:深圳市骏创达科技有限公司

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半导体市场调查公司IC Insights近日发表预测,国际存储芯片市场的超级景气将于今年内结束,主要原因是中国业者将于今年底实现存储芯片量产。

我国存储芯片行业的动向不只影响着整个国际半导体市场,也成为三星电子、SK海力士等存储芯片垄断企业营业利润和股价的最大变数,一直以来在这一领域保持领先的韩国企业感受到了真切的威胁。近日韩国媒体《韩国经济新闻》以“快马加鞭的中国半导体崛起”报道了中国存储芯片产业的快速发展。报道认为,在中国政府的政策和资金支持下,中国存储芯片企业用了不到3年时间,已经成长到跟生产了20年半导体的台湾企业不相上下的水平,韩国企业应提防中国向当年三星超越日本企业一样,被长江存储、合肥长鑫等企业超越。

我国于2014年颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》,经过政府和企业近几年潜心的努力和投入,已形成存储半导体三大研发和制造基地,即长江存储、合肥长鑫和福建晋华。现如今,这三大存储芯片基地都分别在当地加紧建设存储芯片工厂,预计最快到2018年下半年就会有存储芯片工厂开始投产。换言之,2018年将成为国产存储芯片主流化发展的元年。

存储芯片中比较常见的是NAND Flash和DRAM。NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据,比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NAND Flash。DRAM是动态随机存取存储器,只能将数据保持很短的时间,而且关机就会丢失数据,电脑上4G/8G/16G内存采用的就是DRAM。

根据记者掌握的情况,长江存储将主攻NAND Flash产品,而福建晋华和合肥长鑫则把目标锁定在DRAM。三家公司中以长江存储动作最快,它由紫光集团和国家集成电路产业投资基金共同出资建立,被认为是中国存储芯片行业中技术和资金水准最高的企业。去年下半年,紫光再次获得国家开发银行和华芯投资共计1500亿元人民币的融资,这为紫光解决存储芯片工厂的资金问题提供了重要保障。由于NAND Flash相对DRAM的技术难易度较低,长江存储也将成为第一家实现量产的中国存储芯片企业。而另外两家企业今年将实现产品试生产,预计到明年正式开始量产。

尽管我们马上就将拥有自己的国产存储芯片,但我国存储芯片企业的技术与国际领先企业仍有较大差距。据韩国半导体行业专业人士分析,如果长江存储如期量产,三星电子领先长江的技术差是4-5年,而对于合肥长鑫则为6-8年,福建晋华为8-10年。与SK海力士的技术落差则根据各家公司情况有所不同,大致缩短1-2年。在考虑到合肥长鑫和福建晋华的DRAM量产预计比长江存储的NAND晚一年,可以判断中国和韩国技术的差距NAND为5年,DRAM为10年。

长久以来,存储芯片市场都被少数国际大企业垄断。NAND Flash市场被三星与东芝联合的Toggle DDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持,三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额,其中三星是领头羊,市场份额约38%。


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