W1221是驱动外部NMOS去除100／120Hz控制器的LED电流纹波对交流/直流电源通过VC和GND之间的电容。
JW1221自适应技术使功耗最小的同时去除NMOSFET LED电流纹波。
JW1221夹在VIN引脚输入电压30V。只有一个电阻时所需的交流/直流电源的输出电压大于31V条。
JW1221允许用户设置最大LED电流由感应电阻NMOSFET和地面源之间，使NMOSFET损坏时短接或热插拔LED。
通过排水和vlmt引脚之间的电阻传感NMOSFET漏极电压，JW1221允许用户设置LED串的最大阴极电压，这可能有助于限制芯片的功耗。
认为LED短路时，阴极电压LED是比短连接阈值和仍在60us JW1221关闭LED短路和NMOSFET时恢复后13ms JW1221提供过热保护。
当JW1221温度超过135℃，OTP是触发。JW1221关闭NMOSFET直到温度下降到110℃。
自适应100／120Hz纹波电流器控制器
内置的齐纳二极管的输入电压钳位
VG的输出电压高至10V
LED电流纹波的可编程幅度
LED的可编程最大阴极电压
可编程最大LED电流
短路保护
过温保护
SOT23-6L封装
应用：LED照明
据媒体报道指中芯的产能已被塞爆，其中8寸晶圆厂被华为海思、高通和瑞典指纹识别芯片大客户FPC三个大客户夺走近七成的产能，这从侧面证明华为海思今年的出货量非常猛，也间接证明华为手机今年的出货量确实在猛增。
华为是国产第一大手机品牌，与其他手机企业不同的是，它尽量采用自家华为海思的芯片，以扶持华为海思的发展，增强自己的核心竞争力，以获得长远的发展。
目前华为海思主要是利用中芯的0.18微米工艺生产电源管理芯片，海思的电源管理芯片大量消耗着中芯国际的产能，意味着华为的电信设备、手机等业务确实在快速发展，导致对电源管理芯片的需求量大增。今年上半年华为的营收同比暴增40%，而电信设备和手机业务正是它的两大业务收入来源。
华为海思的手机芯片则主要是由台积电代工，这说明了华为不但在核心芯片方面坚持自主设计，即使是外围的芯片也在努力自行开发。
除了大众所知的这些芯片外华为其实还有电信设备、网络通信设备所采用的网通处理器等也是华为海思设计，2014年台积电推出的16nm工艺正是华为海思帮助开发的，而华为海思的网通处理器正是台积电16nm工艺仅有的两个客户之一，由于这种工艺的能效甚至还不如台积电的20nm因此华为海思继续帮助台积电改进到去年三季度推出广受好评的16nmFF+工艺。
不过随后台积电却优先照顾苹果，将其16nmFF+工艺产能用于生产iPhone6s采用的A9处理器，而华为海思的麒麟950则延迟到11月才能上市。受此教训，以及中国大陆推动自己的半导体制造发展，华为海思转而与中芯国际合作研发14nmFinFET工艺。本来预计中芯国际要到2020年才能量产14nmFinFET工艺的，不过有消息指该工艺将有望提前到2018年，这意味着华为海思和中芯国际的半导体制造工艺研发进展顺利将能提前达产。
除了上述芯片外，华为海思据说还在研发当前正发着迅猛的SSD控制芯片，存储芯片在各个行业应用广泛，对于华为当前正进入的手机、服务器业务都大有裨益，海思进入这个行业也正是国家希望发展的芯片产业之一，华为海思进入各个芯片行业证明了它的强大研发实力，当然也有助于华为的发展。
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