制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 65 V
集电极—基极电压 VCBO: - 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 0.65 V
增益带宽产品fT: 100 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: BC856BW
直流电流增益 hFE 最大值: 475
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: - 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 220
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 150 mW
工厂包装数量: 3000
单位重量: 6.200 mg
AOS/万代：
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童：
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器：
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
ST/意法：
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/华邦：
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信：
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
SBC856BWT1G中芯国际即将试产14nm
在过去几年中，中国政府大力推动国内半导体产业的发展，实现更多芯片的国产化。据悉，除了涌现大量的半导体设计公司之外，中国大陆的芯片代工厂也正在扩大产能，并在巨头的压力下闯出一条发展道路。
半导体市场分为设计和代工两大类。如今几乎所有的设计公司均没有芯片制造生产线，而是委托给台积电、三星电子半导体事业部等代工，而代工厂每年都需要投入巨额资金研发最新工艺，建设新的生产线。
据台湾网站报道，国内出现了三大半导体代工厂商，分别是中芯国际、华虹半导体和华力微电子公司。这三家公司目前正在扩大芯片制造能力。
中国政府已经制定了发展半导体产业的宏伟目标，2016年，芯片国产率只有26.2%，到2025年，国产率将增加到七成。这意味着国内的半导体制造能力也要同步增加。
在半导体制造方面，中国大陆的公司目前处于落后。据悉，台积电、格罗方德、台联电等公司在中国大陆建设了一些工厂，目前正在建设“12英寸晶圆”芯片厂(芯片厂加工的晶圆直径为12英寸，晶圆面积越大，生产效率越高)。
据报道，由于在芯片制造技术方面暂时落后，中国大陆本土代工厂主要瞄准了汽车电子芯片等市场，这种芯片并不需要最先进的制造工艺。
台湾电子时报研究部表示，中国大陆三家芯片代工厂的产能提升，将主要取决于国内芯片市场。
在全球半导体代工市场，台湾地区的台积电是占据了半壁江山的巨无霸企业，台积电是苹果公司芯片最重要的代工厂，而且近些年在苹果订单中占到的比例越来越高，对三星电子形成了巨大压力。
在半导体的制造工艺中，作为线宽的“纳米”数成为最重要的衡量指标，线宽越小，单位面积整合的晶体管数量越多，处理性能越强大，电耗也就越低。台积电不久前宣布，将会建设全球第一家3纳米芯片制造厂，计划在2020年投产。
据悉，台积电和三星电子已经采用10纳米工艺生产芯片。
中国大陆的半导体工厂，目前已经具备多少纳米的制造工艺，尚不得而知。去年业内曾有消息称，中芯国际将会在2019年，采用14纳米工艺生产芯片。
在中国内地半导体设计公司方面，去年底行业机构公布的统计数据显示，中国内地已经拥有近1400家芯片设计公司，去年的总收入将达到300亿美元。
在一些低端智能手机中，国产机厂商开始尝试使用内地设计公司的处理器。不过主流的处理器依然来自高通和联发科。
