制造商: NXP
产品种类: UART 接口集成电路
通道数量: 1 Channel
数据速率: 5 Mbps
存储容量: 64 B
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.3 V
工作电源电流: 6 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HVQFN-24
封装: Bulk
高度: 0.95 mm
长度: 4 mm
类型: RS-232 or RS-485 or IrDA
宽度: 4 mm
商标: NXP Semiconductors
工作电源电压: 2.5 V, 3.3 V
工厂包装数量: 2450
零件号别名: SC16IS750IBS,157
AOS/万代：
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童：
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器：
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
ST/意法：
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/华邦：
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信：
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
SC16IS750IBS中国5G芯片面临的主要挑战
当前我国正在大力开展5G技术与产业化的前沿布局，在5G芯片领域取得积极进展，技术产业化进程不断加快。一方面我国政府高度重视5G芯片的发展，中国制造2025、"十三五"国家信息化规划、信息通信行业发展规划、国家科技重大专项、工业转型升级资金、国家集成电路产业投资基金等为5G芯片的发展提供良好的支撑环境。另一方面我国企业和科研院所围绕5G芯片积极布局，华为海思、展讯等企业正在加快5G基带芯片研发进程;PA、滤波器等5G高频器件的研发也已陆续展开;三安光电、海特高新等企业在化合物半导体代工领域有所突破。经过长期积累，我国集成电路产业在移动芯片领域已取得巨大进展，但5G面临的瓶颈问题依然突出。
第一，关键核心技术缺失
国内5G 芯片产品研发面临国外专利封锁，部分关键核心技术缺失，如国外射频芯片和器件技术已经非常成熟，尤其是面向高频应用的BAW和FBAR 滤波器，博通、Qorvo 等企业已有多年技术积累，我国BAW和FBAR专利储备十分薄弱，自主研发面临诸多壁垒。
第二，制造水平依然落后
国内5G 芯片缺乏成熟的商用工艺支撑，整体落后世界领先水平两代以上。砷化镓、氮化镓等化合物半导体代工市场主要被稳懋、宏捷科技等台湾大厂垄断;格罗方德、TowerJazz等厂商则在锗硅和绝缘硅材料工艺方面技术领先。
第三，产业配套有待完善
5G 芯片关键装备及材料配套主要由境外企业掌控。设备方面，制造化合物半导体的关键核心设备MOCVD仍主要被德国爱思强和美国Veeco 所垄断，国内企业正在积极突破。材料方面，以日本住友为代表的企业在化合物半导体材料领域优势明显;法国Soitec 和日本信越等企业在SOI 晶圆材料市场占有率较高;封装用的高端陶瓷基板材料基本都是从日本和台湾地区进口。
第四，产业生态亟需营造
当前我国5G芯片设计、制造、封测以及装备材料配套等产业链上下游协同性不足，通信设备整机厂商和国外芯片厂商之间的合作惯性一时还难以打破，国内芯片缺乏与软件、整机设备、系统应用、测试仪器仪表等产业生态环节的紧密互动。
中国厂商欲在5G芯片上战胜高通?
英国《金融时报》网站10月16日刊登题为《中美5G之争》的报道称，一场不那么热闹的围绕5G芯片的争执才是重头戏——目前5G标准尚未制定出来。中国正力争在下一代移动数据服务的设计方面占据更大份额。如果中国成功了，高通将受到冲击，中国设备制造商将会受益。
据杰富瑞估算，现行4G标准的核心专利中，12.5%由高通所有。在截至今年6月的9个月内，这家美国集团的专利费收入高达44亿美元。中国是全球最大的移动市场——仅中国移动就拥有8.73亿用户——但在知识产权方面，中国拥有的份额一直很小。
报道称，未来中国在知识领域将拥有更大影响力。杰富瑞指出，在现有的5G核心专利中，中国拥有其中的十分之一。中国已着手增强自身在国际监管机构中的作用。
未来5G标准会是什么样，在很大程度上取决于为确保设备和协议可以跨境通用所需采取的国际合作。中美模式最根本的区别在于5G技术应该采用什么频率。美国企业声称，高频毫米波存在优势。而中国可能想凭借其较低频率的模式成为一个先行者，希望以此影响那些尚未拿定主意的国家。
移动运营商将不得不承担大部分实施成本——据政府研究人员估计，到2025年需耗资1.65万亿元人民币(合2500亿美元)。设备制造商和专利所有者将受益于更高的专利费用。
