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MBT35200MT1G

发布时间:2018/1/14 19:21:00 访问次数:395 发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司

瀚佳科技(深圳)有限公司

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MBT35200MT1G资料

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 35 V
集电极—基极电压 VCBO: - 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: - 0.26 V
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: MBT35200
高度: 0.94 mm
长度: 3 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 1.5 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: - 2 A
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 625 mW
工厂包装数量: 3000
零件号别名: MBT35200MT2G
单位重量: 20 mg

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AOS/万代:

AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404

AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415

AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409

AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447

AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476

AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404

AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50

FAIRCHILD/仙童:

FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80

FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10

FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50

FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10

FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25

FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06

FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C

IR/整流器:

IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S

IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS

IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230

IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113

IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF

IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60

IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N

ST/意法:

STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T

L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3

STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR

L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06

STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N

STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP

STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5

Winbond/华邦:

W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ

W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ

W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25

W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG

W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG

W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM

MAXIM/美信:

MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA

MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA

MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA

MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA

MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA

MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA

MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB

MBT35200MT1G内存降价无期,发改委继续约谈三星
凭借内存疯狂涨价之势,三星去年是大赚特赚,旗下利润营收一度创了新纪录,不过他们烦心事的也随之而来。

据报道称,目前,全球内存市场被国际巨头三星、海力士以及美光垄断,三家公司的内存市场占有率合计超过90%,而今年上半年内存价格丝毫没有下降的趋势。

由于汇率持续升值、原物料及人工成本的持续上涨,最近全球电阻第一大厂国巨上调电阻价格,而这也被看作是内存继续上涨的信号,而内存价格的持续上涨,国内终端厂商的成本压力陡然增加。

报道中提到,国家发改委将会继续约谈三星,因为现在的内存市场寡头垄断格局已经形成,下游厂商话语权并不大,所以这就形成了一定意义上的垄断,所以不断去约谈就很有必要。

此外,有消息人士还向证卷时报透露,因为三星占据全球内存产能的40%以上,发改委现在怀疑三星对内存产能是否进行了一定控制。如果三星说自己的内存没货,外界是无法知道三星是真没货还是假没货的。因为它有可能故意放慢产能的增速,从而更容易在价格上涨过程中获取暴利,毕竟三家厂商在内存市场的垄断效应太集中了

手机中国联盟秘书长王艳辉表示,现在预测发改委会对三星采取何种进一步措施还为时尚早。但是,如果三星被认定参与了价格操纵行为,那么发改委可能会参考其他国家在这一方面实施的处罚措施。

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