NDC631N/ N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

供应NDC631N 原装进口现货热卖 长期供货 价格优惠 欢迎采购 吴小姐 0755-82865294 ， 概述 这些N沟道逻辑电平增强型功率场 场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的， 高密度， DMOS技术。这非常高的密度 过程是量身定做，最大限度地减少通态电阻。这些 装置特别适合于在低压应用 笔记本电脑，便携式电话， PCMICA卡，并 其它电池供电的电路，其中快速开关，和低 直列中需要一个非常小的轮廓表面的功率损耗 贴装封装。 特点 4.1 A， 20 V ř DS （ ON） = 0.06 Ω @ V GS = 4.5 V R DS （ ON） = 0.075 Ω @ V GS =2.7 V. 专有SuperSOT TM 使用铜-6包装设计 引线框架为优异的热和电性能。 高密度电池设计极低R DS （ ON） . 呈导通电阻和最大直流电流 能力。