BP2836D性能：（非隔离降压方案最大可做40W，内置4A MOS，是BP2833D（内置2A MOS）的加强版）
1.无需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元件
2.芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化。效率更高。
3.BP2836D 具有多重保护功能，包括LED 开路/短路保护，CS电阻短路保护，欠压保护，芯片温度过热调节等
4.芯片外部一个电阻即可设定开路保护电压值，方便简洁可靠。
5.BP2836D 芯片内部集成500V功率MOS管
6.BP2836D 采用DIP-8 封装（PIN-PIN BP2833D）
优势推广更多型号：BP3315,BP3319M，BP3123,BP3125,BP3126,BP3133,BP3315,BP2832,BP2831A,BP2812,BP2822,BP2326,BP2329A,BP3309,BP2833D,OCP8165A,OCP8164B OCP8164A,OCP8162A OCP8161A
国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference, ISSCC)2018年年会将于2018年2月11日至2月15日于美国旧金山举行。 本次研讨会中国(含中国大陆、香港及澳门)共有14篇论文入选，数量仅次于美国、韩国及台湾，首次超越日本的13篇，跃居全球第四。
2018 ISSCC除传统芯片发表外，将有11篇人工智能(AI)相关芯片发表，其中另首次有被认为下世代人工智能关键技术之智能运算内存芯片发表。 AI所需大数据和云端服务背后需要庞大数据中心进行快速储存与运算，过去，内存不用运算，但未来人工智能(AI)芯片如何让内存同步处理储存和运算，成为下世代人工智能兵家必争战场。
AI所需大数据和云端服务背后需要庞大数据中心进行快速储存与运算，昔日多由CPU运算，内存处理储存而不用运算，但未来AI芯片如何让内存同步处理储存和运算，成为下世代人工智能兵家必争战场。 2018 ISSCC将有5篇智能内存内运算电路芯片发表，包含美国伯克利大学、美国斯坦福大学、美国伊利诺大学各一篇与台湾清华大学2篇论文。
ISSCC 2018获选的论文，来自台湾的研究成果共计16篇论文，学界部分共获选9篇论文，分别由清华大学获选4篇论文、交通大学3篇论文、台湾大学1篇论文与成功大学1篇论文;业界部分共7篇论文获选，分别为联发科3篇论文、 台积电3篇论文、力旺电子1篇论文入选。
国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference，ISSCC)扮演全球先进半导体与固态电路领域研发趋势的领先指针， 为国际半导体与芯片系统之产学研专家在顶尖技术交流之最佳论坛、亦为国际半导体公司首次发表最新芯片之唯一国际学术研讨会，在产学界中具举足轻重地位，因此亦有芯片(IC)设计领域奥林匹克大会之美称。
