MRF6S18060NR1设计用于GSM和GSM边缘基站应用从1800到2000 MHz的频率。适用于TDMA,CDMA，和多载波放大。
MRF6S18060NR1的应用程序•典型的GSM性能:VDD = 26 Vdc,IDQ = 600 mA,Pout = 60瓦CW,f = 1990 MHz功率增加15分贝排水效率- 50%
MRF6S18060NR1边缘应用程序•典型的GSM EDGE性能:VDD = 26伏，IDQ = 450 mA，Pout = 25瓦Avg，全频带(1805-1880兆赫或)1930 - 1990 MHz)电力增益为15.5 dB光谱再生长@ 400 kHz偏移= -62 dBc光谱再增长@ 600 kHz偏移= -76 dBc维生素与o rms 2%•能够处理5:1 VSWR，@ 26 Vdc,1990 MHz,60瓦CW输出功率
特征
具有系列等效大信号阻抗参数的特点
内部匹配，便于使用
•合格最多可达32个VDD操作
•集成ESD保护
•225°C塑料封装能力
N后缀表示无铅终止。通过无铅认证。
在磁带和卷轴上。R1后缀= 500单位每44毫米，13英寸卷轴。
