MMBT5088 资料
数据列表 2N5088
生产商 FAIRCHILD
批号 201706
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
库存 65000
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 30V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 100μA，5V
功率 - 最大值 350mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
瀚佳科技（深圳）有限公司
联系人:李先生李小姐
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全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)
今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管
提供750W连续波(CW)，比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H
晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体射频功率放大器的极限，使之成
为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。
这款晶体管简单易用，极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技术
(如磁控管)相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H
支持在0至750W的全动态范围内进行精确的功率控制，并可实现频移，有助于
精确地使用射频能量。而且，MRF13750H的性能随时间推移下降很小，能够
运行数十年，降低了总拥有成本。MRF13750H的工作电压为50V，比磁控管
更安全。另外，固态功率放大器尺寸小，有助于实现设计冗余和灵活性。
恩智浦市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示：“长期以来，
半导体器件的可靠性和优异的控制特性早已得到认同，但是工业系统设计人员
难以组合多个晶体管来匹配磁控管的功率水平。现在凭借MRF13750H的优异
性能，工业加热工程师能在非常高功率的系统中使用这种晶体管。”
射频能量联盟执行董事Klaus Werner表示：“鉴于固态射频能量作为高效可
控的热源和功率源具有诸多优势，射频能量联盟(RFEA)认为该技术有着不可
估量的市场机会，不仅能够改善现有的射频能量应用，而且有助于开发新的
能量应用。新产品MRF13750H的强大性能无疑将加速行业向固态射频技术
的转型。”
这款新晶体管专为工业、科学和医疗(ISM)应用而设计，范围从700MHz至
1300MHz，特别适合工业加热/干燥、固化和材料焊接及颗粒加速器应用。
MRF13750H在915MHz时可提供750W CW，效率为67%，封装为3×3.8
英寸(7.6×9.7厘米)小封装。
