MBI6662GD包含连接LED灯珠的阳极达到简化配线以降低 成本MBI6662为高效率恒流降压型DC/DC转换器驱动芯片，
其适用于驱动高功率LED，并采用磁滞宽带可调之定频控制技术及提供共阳极连接方案。(60v/2A共阳极降压型);
MBI6662GD输出电流可透过外部电阻进行设定，且可在DIM脚连接脉宽调变(PWM)讯号进行调光控制。
另外，启动过流保护装置(Start-Up)功能可限制芯片因电源启动时所产生的突波电流;
MBI6662 还提供欠电压锁定保护(UVLO)、过温保护(OTP)及过电流保护功能(OCP)，以避免芯片在不正常运作的情况下损毁。
MBI6662GD为确保系统稳定性，MBI6662还提供过热断电保护功能(TSD)，在过热的条件下，藉由关断内建MOSFET，以达到保护芯片的目的。
MBI6662目前提供散热性佳的DFN-10和SOP-10两种封装。
MBI6662应用:
@舞台灯@高功率LED洗墙灯@车用LED照明@灯源采共阳极并联架构之灯
研究机构Yole Developpement指出，随着5G技术日益成熟，未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长，但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代，砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。
据Yole预估，电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建，将是推动RF PA市场规模成长最主要的动力来源。 2016年全球RF PA市场规模约为15亿美元，到2022年时，市场规模将达到25亿美元，复合年增率(CAGR)为9.8%。 不过，由于导入新的射频技术，并且使用更高的通讯频段，因此RF PA必须使用新的制程技术来实现。
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
