数据列表
HCPL-3120/J312, HCNW3120;
标准包装
750
包装
标准卷带
类别
隔离器
产品族
隔离器 - 栅极驱动器
系列
-
其它名称
516-3207-2
HCNW3120-500E-ND
技术
光学耦合
通道数
1
电压 - 隔离
5000Vrms
共模瞬态抗扰度（最小值）
25kV/μs
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）
500ns，500ns
脉宽失真（最大）
300ns
上升/下降时间（典型值）
100ns，100ns
电流 - 输出高，低
2A，2A
电流 - 峰值输出
2.5A
电压 - 正向（Vf）（典型值）
1.6V
电流 - DC 正向（If）
25mA
电压 - 电源
15 V ~ 30 V
工作温度
-40°C ~ 100°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD，鸥翼型
供应商器件封装
8-DIP 鸥翼型
认可
CSA，IEC/EN/DIN，UR
近年来由于各项智能设备以及人工智能的应用，人们对芯片计算能力的需
求越来越大。芯片的运算能力取决于基本运算单元电晶体的多寡，但由于
电晶体的研发已渐渐接近物理极限，无法再继续缩小，因此科学家及各个
科技大厂正在不断研究下个能使芯片运算速度提升的方法。
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其中一个半导体产业在追求的新兴技术就是三维芯片，三维芯片利用高度
的堆叠来整合不同的芯片，可以更有效利用空间、放入更多元件，增加运
算速度。
研究人员：新技术前景可期
麻省理工学院的研究员近期利用纳米碳管和电阻式存储器(RRAM)发展出
新的三维芯片制造方法，目前已发布在期刊《Nature》上。有别于传统以
矽为基础的芯片，这次芯片为纳米碳管及 RRAM 组成，由于纳米碳管电
路及 RRAM 制作时只需摄氏 200 度，因此解决了传统硅晶片制程时需要
超过摄氏 1 千度高温，会损坏三维芯片多层次结构的问题。
此外，纳米碳管和 RRAM 的能源消耗效率也比传统芯片元件佳。
该团队表示下一步将会与半导体公司合作开发新版本的三维芯片，把感测
功能及资料处理功能也加入单一芯片中。有专家表示，这项发明可能会是
延续摩尔定律的重要关键，虽然可能还需要很长时间的研究，不过前景可
让人期待的。
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