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IRF4905S

发布时间:2017/6/27 23:13:00 访问次数:322 发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司

数据列表 IRF4905(S,L)PbF;

标准包装IRF4905STRLPBFTR-ND;part_id=1928283;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" /> 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRF4905STRLPBF-ND
IRF4905STRLPBFTR
SP001559632


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FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 170W(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 42A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

东芝(Toshiba)21日宣布,决定由日本官民基金“产业革新机构(INCJ)”、美

国投资基金以及韩国SK Hynix等所筹组的“日美韩联盟”作为半导体事业子

公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”的优

先交涉对象,而该日美韩联盟将有强大的生力军加入?据悉苹果(Apple)考虑

加盟。另外,因日本政府打出“忧心技术外流”大旗、导致台湾鸿海未能被

选为优先交涉对象,但为什么同样身为“海外企业”的SK却能被选中?对此

东芝有作出说明。

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另外,东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点“四日市工厂”

的Western Digital(WD)强烈反对SK、恐将成为今后出售协商的一大阻

碍。WD担忧身为同业的SK加入恐会对四日市工厂的生产业务带来混乱,

且WD干部指出,日美韩联盟是以“基金”为主体,“而寻求股票出售

的基金今后恐会将股权卖给资金丰沛的SK”。

东芝于23日宣布,2016年度(2016年4月-2017年3月)合并净损额从原先

预估的9,500亿日圆下修至9,952亿日圆,另外,截至2017年3月底为止,

东芝债务超过金额(总债务超过总资产的金额)达5,816亿日圆、高于之前

预估的5,400亿日圆。

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