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HJ2-L-DC110V

发布时间:2017/6/23 21:01:00 访问次数:295 发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司

产品种类: 通用继电器
制造商: Panasonic
RoHS: 符合RoHS详细信息
线圈电压: 100 VDC to 110 VDC
触点形式: DPDT (2 Form C)
触点端接: Quick Connect Terminal
安装风格: Socket
线圈端接: Quick Connect Terminal
线圈类型: Non-Latching
触点材料: Silver (Ag)
封装: Bulk
商标: Panasonic Industrial Devices
功耗: 1.1 W
工厂包装数量: 20

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即便是成绩最好的申威1610的理论双精浮点峰值也只有200G,而Intel

第一代至强PHI的理论双精浮点峰值高达1T,是申威1610的5倍。正是

因此,天河2号只能无奈的选择Intel至强PHI作为其加速器。

光阴似箭,时过境迁,经过数年的卧薪尝胆,国内IC设计单位的实力与

日俱增,不仅能拿出至强PHI计算卡的替代产品,而且在性能上丝毫不

落下风。国防科大自主研发的矩阵2000理论双精浮点峰值达2.4T,功

耗为200W,理论双精浮点峰值达到第二代至强PHI的80%,性能功耗

比略优于第二代至强PHI。

如果说矩阵2000是GSDSP,而非众核加速器,在性能上也稍逊第二代

至强PHI一筹,那么上海高性能集成电路设计中心设计的国产众核芯片

是对美国禁售至强PHI计算卡最有力的回击,特别是在设计理念上,国

产众核加速器非常先进。

因采用异构计算可以获得更好的性能功耗比和峰值性能,目前中美正在

建设的100P超算基本采用异构计算,也就是一个计算节点由CPU+加速

器组成,比如天河2A号一个计算节点由2个E5(将来可能会替换成国防科

大自主研发的64核服务器芯片“火星”)和三个矩阵2000组成。加速器

可以是K80这样的GPGPU,也可以是矩阵2000这样的GPDSP,还可以

是Intel至强PHI、国产众核芯片这样的众核加速器。

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虽然异构计算虽然有很多优点,但也会带来很多缺点,比如通用性不够

好,效率不够高,编程比较麻烦,另外,天河2号和美国超算Stampede

中的Intel至强PHI计算卡和E5是不共享内存的,因而需要程序员显式拷

贝,进而造成性能损失。而国产众核芯片通过设计理念的革新,很大程

度减轻了上述方面的负面影响,在某些方面甚至彻底避免了性能损失。

因此,笔者认为,国产众核芯虽然因采用28nm制程,使其在制程上逊

色于第二代至强PHI的14nm。但凭借设计理念的先进性,相对于Intel

第二代至强PHI会有一定优势。而双精浮点运算峰值高达3T的性能指标,

使其成为完全不逊色于Intel第二代至强PHI的存在。

在中国芯片制造水平不断提升,并有望不断缩短和美国芯片制造水平的

情况下,如果Intel不能在超算芯片的设计理念上有革命性的改进,那么

被国产众核芯片的下一代产品超越只是时间问题。 中国光刻机突破世界

上能制造光刻机的国家屈指可数

(美国的高端光刻机在哪呢?!所以,本质上,美国的芯片制造业核心装备

是买来的。说白了,所谓的INTEL,用的核心设备是国外的,其无非就

是一个搞组装的加工作坊而已)

光刻机所涉及的产业链非常长、非常高端。目前世界上最大的光刻机生

产商ASML是荷兰公司,光刻机中的光学镜组来自德国、干涉测量系统

来自美国,其产品可以说是整个西方世界科技成果的总和。在这方面,

中国要想取得独立自主的发展,实际上是在以一己之力追赶所有发达国

家数百年的积累,每一个单项的突破都意味着中国又追上了一步,这个

过程将会是漫长而艰辛的。不过依托完整的产业链、庞大的工业产能和

雄厚的人才基础,中国的IC产业最终实现全面超越是完全可以期待的。

2014年7月中芯国际与高通公司达成了28纳米芯片代工协议,为中芯进

入主流市场工艺技术打下了坚实基础。2014年12月18日,中芯国际宣

布成功制造28nm Qualcomm骁龙410处理器,藉此成为中国内地第一

家在最先进工艺节点上生产高性能、低功耗手机处理器的晶圆代工厂。

(对高通而言,与中芯合作除了可确保未来产能外,还可以改善与中国的

政商关系,毕竟高通因垄断被中国政府罚款60亿元。随着中国科技的进

步,中国政府已经将芯片产业列入国家重点支持的战略产业,好戏还在后头)

上海2014年11月28日电 - 中微半导体设备有限公司(简称“中微”)宣布

在本月初举办的第十六届中国国际工业博览会上荣获金奖。这一奖项彰

显了中微十年来在先进技术自主创新方面取得的可喜成绩。中微此次获

奖产品是其处于行业领先地位的去耦合等离子体介质刻蚀机Primo AD-RIE®,

该设备能够满足28到15纳米及更先进工艺芯片制造的严苛要求。

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