BGA715N7采用英飞凌经济高效的SiGe:C技术，噪声系数低至0.6dB，比最接近的SiGe竞争性产品还要低0.2dB。该器件的耗电仅为3mA，比其他器件低约20%，大 大延长了电池的使用时间。BGA715N7支持较大范围的供电电压（1.5V-3.6V）和数控电压（1.0V-3.6V），与当前市场上所销售的各种GPS芯片组兼容，可实现节能型低压产品设计。BGA715N7的增益为20dB，具备高线性（电压为2.8V时，输入压缩点为-12dBm）。内部集成的智能偏置电路可以在温度和输入电压出现变动的情况下保持器件操作的稳定性。它具备1kV HBM的片上ESD防护，简化了系统的ESD防护，并在组装过程中为器件提供了强大的ESD防护功能。BGA715N7仅需三个外部无源元件，因此可以支持空间节约的紧凑型设计。
供货、封装与定价
BGA715N7目前已开始供应样品，并计划于2008年9月开始批量生产。英飞凌还提供评估套件，以支持客户设计。若订购量达到1万件，起价为0.5美元。B GA715L7采用微型TSLP7-1无铅封装，尺寸仅为2.0 mm x 1.3 mm x 0.4 mm，实现了与现在广泛应用的前一代产品BGA615L7的管脚兼容
德国Neubiberg和日本东京讯——英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）今天在日本无线通讯展Expo Comm Wireless Japan上宣布，该 公司的广博产品组合又添新成员：针对GPS应用并具有最佳噪声系数的高灵敏度低噪放大器BGA715L7。这款新产品满足了手机对高灵敏度和无线信号抗扰性的设计要求。它的功耗仅为5.94mW，并 能在1.8V的电压下进行操作，大大延长了电池的使用时间。而GPS功能将有望成为下一代手机的标配功能。市场调查机构IMS Re-search的分析报告显示，手 机GPS市场在2011年之前的年均复合增长率为33.7%。这意味着2011年所生产手机总量的三分之一都将具有GPS功能
