ADR421BRZ是超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。
利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR421BRZ具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR421BRZ系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路
优势和特点
低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV 峰峰值
ADR425: 3.4 μV 峰峰值
低温度系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000小时
负载调整率：70 ppm/mA
电压调整率：35 ppm/V
低迟滞：40 ppm（典型值）
宽工作电压范围
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V
静态电流：0.5 mA（最大值）
高输出电流：10 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C
