InnoSwitch-EP 系列 IC 大大简化了低压、高电流电源的开发和制造，尤其是在紧凑的外壳中或者在对效率有较高要求的情况下。InnoSwitch-EP 架构极具革新性，这些器件在单个 IC 中集成了初级和次级控制器以及检测元件和符合安全标准的反馈机制。
由于元件的间距更为紧凑并且创新地使用了集成通讯链路，因此能对次级侧同步整流 MOSFET 进行精确控制并对初级侧 MOSFET 开关进行优化，从而在整个负载范围保持高能效。此外，链路具有极小的 DC 偏置要求，使系统能够实现小于 10 mW 的空载功耗，获得待机状态的最高能效。
特性如下:
采用反激式控制器，725 V/900 V MOSFET、次级侧检测和同步整流驱动器
集成 FluxLink™、HIPOT 隔离的反馈链路
出色的 CV 精度，独立于变压器设计或外部元件
出色的多输出交叉稳压，具有加权 SSR 反馈和同步 FET
由变压器偏置绕组提供 230 VAC时空载功耗 < 10 mW
轻松满足全球所有能效法规的要求
100% 生产高压绝缘测试 (HIPOT) 合规性测试相当于 6 kV DC/1 秒
强化绝缘
INN26xx 系列隔离电压 > 3,500 VAC，INN2904 > 4,000 VAC
UL1577 和 TUV (EN60950) 安全认证
符合 EN61000-4-8 (100 A/m) 和 EN61000-4-9 (1000 A/m) 规范
应用如下:
家电
工业
智能照明
智能电表
电机驱动器
