Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列通过使用单一外延工艺，在高温度条件下具有更低的导通电阻
开发出第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列。相比其上一代 DTMOS III，DTMOS IV 采用了先进的单一外延工艺制造，MOSFET 品质因数 (FOM) 导通电阻·A 降低了 30%。导通电阻·A 的降低使该器件可在同一封装中容纳更低导通电阻的芯片。这有助于提高效率和减少电源的尺寸。
特性如下:
相比其前代 (DTMOS III) 导通电阻 A 减小 30% 通过使用单一外延工艺，在高温度条件下导通电阻更低 相比前一代产品 (DTMOS III) 由于 Coss 的下降而使得开关损耗 Eoss 减少 12% 提供 0.9 Ω 至 0.018 Ω（最大值）的宽范围导通电阻 RDS(ON) 各种不同的封装选择 通孔式：TO-220、TO-220SIS、IPAK、I2PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247 表面贴装：DPAK、D2PAK
应用如下:
通信设备电源 服务器 UPS 液晶电视 台式 PC 适配器 LED 照明 电焊机 打印机 太阳能逆变器
