IRF2805PBF原装IR晶体管
典型的应用
工业电机驱动
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩长达TJMAX
无铅
描述
这®HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工
实现硅极低电阻的技术
地区。本设计的附加功能是一个175°C结
工作温度，开关速度快，提高
重复雪崩额定值。这些功能结合起来使
这种设计非常高效和可靠的设备使用
在各种各样的应用中
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 230nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5110pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 330W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 104A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
