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MP2307DN-LF-Z DC-DC电源管理芯片

发布时间:2017/5/24 10:53:00 访问次数:530

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微电子装备总体研究室主任胡松表示,设备采用的新型纳米对准技术,成功将原光刻设备的对准精度由亚微米量级提升至纳米量级,是实现功能化器件加工的关键。其应用突破了现有纳米尺度结构加工的瓶颈问题,为高精度纳米器件的加工提供了技术保障。设备可广泛应用于微纳流控芯片加工、微纳光学元件、微纳光栅、MEMS器件等微纳结构器件的制备。

华中科技大学国家光电实验室的甘棕松教授在国外攻读博士学位期间,采用类似方法在光刻制造技术上取得进展,成功突破光学衍射极限,首次在世界范围内实现了创记录的单线9纳米线宽,双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上,能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻,有望使国产集成电路光刻机摆脱一味采用更短波长光源的技术路线。

据悉中国研发的光刻机试验产品已经接近光刻机业界龙头老大荷兰ASML,EUV光刻机量产型号已经做到14nm水平,现在Intel、三星的14nm光刻机都是买自ASML。中国准14nm光刻机虽然没有定型生产,但试验设备的研制成功也是一个巨大进步,只要集中攻关也许很快我们也能研发出类似精度的光刻机。

操作系统和芯片是军备创新升级的灵魂,发动机则是各种军备的动力之源。中国发动机的整体性突破对于中国军备升级当然意义非凡

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