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SM2316E

发布时间:2017-4-27 18:04:00 访问次数:147 发布企业:深圳市哲瀚电子科技有限公司

SM明微系列产品:SM2097E SM2092E SM2202PSM2316ESM2082K SM2318E SM2135E SM2123E SM2212EASM2213EA SM2200/3P SM2087 SM2315E SM2083 SM2086 SM2082C SM2082D SM2082G大量原装正品现货。

SM2316E是单通道LED恒流驱动控制芯片,芯片使用专利的恒流设定和控制技术,输出电流由外接REXT电阻设置为5mA-60mA且输出电流不随芯片OUT端口电压而变化,比较好的恒流性能。系统结构简单,外围元件极少,方案成本低。



特点:

1.本司专利的恒流控制技术

a.OUT端口输出电流外围可调,范围5mA-60mA

b.芯间输出电流偏差小于士4%

2.输入AC电压:120V/220V

3.支持可控硅调光应用电路

4.具有过热保护功能

5.芯片可与LED共用PCB板

6.线路简单,成本低廉

7.系统应用无EMI问题

8.封装形式:ESOP-8

应用领域:

1.T5/T8系列LED日光灯管

2.LED路灯照明应用

3.LED吸顶灯,LED球泡灯

现在,占据媒体头条的新闻多是有关英特尔、三星、台积电量产10nm工艺,甚至7nm、5nm开发进展的消息,然而尖端工艺并不是晶圆制造的全部。虽然高端市场会被10nm以及14nm/16nm工艺占据,可是40nm、28nm等并不会退出,相反28nm工艺现在仍然是台积电的营收主力。中国大陆半导体厂商想要发展晶圆制造,快速攻克并且站稳28nm将是极为关键的一步。

台湾代工厂

加速布局先进工艺

近来,我国台湾地区代工厂抢攻大陆市场的步伐正在加速。根据相关报道,台积电加紧了南京12英寸厂的建设,同时还与众多供应商接洽,希望能一同到南京设厂支持。根据记者的了解,现已有家登精密等多家供应商决定到南京设厂,预计2018年台积电的16纳米FinFET工艺将加入生产,规划月产能2万片。

至于联电,今年2月已实现14nm的量产,这就使其有机会将厦门联芯的晶圆工艺推进到28nm节点,更进一步抢占大陆手机和网通芯片市场。日前,有消息称联电厦门12英寸厂获得展讯和联发科的40纳米工艺订单,不排除这两家IC设计厂商后续将28纳米订单交由联电厦门厂完成。

尽管当前智能手机市场增长放缓,但是全球移动智能终端产品的总需求量依旧可观,尤其是苹果、华为等厂商下半年旗舰智能手机将陆续登场,必将带动对先进工艺的需求。台积电2016年财报显示,先进工艺占其晶圆代工收益的56%,其中16nm/20nm工艺、28nm工艺占营收的比重分别为31%和25%。可见,先进工艺是半导体代工市场的主力,也是一线晶圆制造厂竞争的焦点。

目前,台企积极抢占大陆市场,先进工艺正是其主要依托。联电CEO颜博文强调,14纳米FinFET工艺效能竞争力已达业界标准,速度比28nm增快55%,闸密度达两倍,而且芯片功耗也较28nm减少约50%。

首先要在

28纳米站稳脚跟

去年以来,在“国家集成电路产业发展投资基金”与地方政府的支持下,国内最大的两家晶制代工企业中芯国际和华力微开始大举扩张产能。中芯国际宣布将在上海投资兴建新一座月产能7万片的12英寸厂,在深圳建设一座月产4万片的12英寸厂。华力微也启动二期建设项目,投资建设一座月产能4万片的12英寸厂。

兴建12英寸厂自然以先进工艺为前导。根据中芯国际与华力微的规划,两者均计划先期发展28纳米工艺,进而向14纳米推进。其中,中芯国际已于2015年宣布28nm进入量产;而根据报道,华力微亦将于2017年进入28纳米量产。

“中国做大做强半导体产业,必须在先进工艺上取得突破,而要做好先进工艺的晶圆制造,就首先要在28纳米站稳脚跟。光刻工艺尺寸缩小是半导体产业的主要推动力之一,如今在光学光刻中,采用193纳米的浸液式方法到28纳米己是终点,如要继续往下走,必须采用两次图形曝光等技术(double patterning,简称为DP)。从这个意义上来讲,28纳米的综合成本是最低的,也使它成为名符其实的长节点。”半导体专家莫大康告诉记者。

华力微总裁雷海波也表示:“不仅通信芯片及RF芯片等标准逻辑工艺平台可以采用28纳米,未来28纳米平台也可以开发特色工艺。”

在此情况下,台湾半导体厂积极抢进大陆市场,意图对大陆厂商筑起先进工艺高墙,那么28纳米就成为非常关键的一个节点。中国大陆厂商要做强半导体制造也必须首先攻克28纳米。

需尽快把28纳米产量

拉高起来

“问题是大陆厂商在开发量产28纳米的过程中,迄今为止并不顺利。”莫大康认为,“与台积电相比,中芯国际28纳米的量产爬坡的周期显得有些长了。”台积电从2011年第四季度开始推出28纳米,2012年第四季度28纳米在其公司营收中的占比已经提升到22%。而中芯国际,2015年28nm工艺只带来了0.3%的营收,去年年底这一比例提升到3.5%。按照中芯国际的计划,2017年预计会提升到7%~9%。

“投入不足是我国晶圆厂推进28纳米周期过长的主要原因之一。”莫大康认为。28纳米本身技术难度就很大,同时HKMG工艺涉及材料组分的组合变化,需要进行大量实验,收集数据与摸索,这些工作都既需要时间又需要花费大量的资金。

另一个因素是人才的不足。开发高端工艺,需要资本与技术的双轮驱动,对于现在的中国厂商来说,资金不再是其发展的最大瓶颈。人才,特别是高端人才需要长期培养,需要经过长期的实践经验,才能成长起来的。挖人并不能完全解决问题。

“为此,中国半导体厂商要舍得投入资金和人力成本,尽快把28纳米的产量拉高起来,同时向14纳米等节点挺进。否则量产周期过长,将给竞争对手抢市的机会。”莫大康认为。

据报道,受联发科、高通和展讯等手机芯片厂在28nm制程需求强劲影响,台积电已经决定今年仍将扩大28纳米产能,预料单月产量将由15万片再扩增至18万片,增幅达20%。而2016年中芯国际28纳米晶圆产能全球占比不足1%,与28纳米工艺市占率分别为66.7%、16.1%与8.4%的前三大代工厂台积电、GlobalFoundries、联电仍有较大差距。

“28纳米的成功需要一片一片硅片的通过,尤其是从那些失效的圆片中来总结经验与教训。相信通过自己的力量我们一定能迈过28纳米制程的坎,迎接中国芯片制造业的另一个高潮到来。”莫大康表示。

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