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MJD122T4G

发布时间:2017/4/26 11:30:00 访问次数:225 发布企业:深圳市朱博士电子科技有限公司

型号: MJD122T4G

品牌:ON

参数说明:

标准包装MJD122T4GOSTR-ND;part_id=919466;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" /> 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
系列 -
其它名称 MJD122T4GOS
MJD122T4GOS-ND
MJD122T4GOSTR



规格 晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 8A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值) 4V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值) 10μA
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 4A,4V
功率 - 最大值 1.75W
频率 - 跃迁 4MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 DPAK-3

深圳市中意法电子科技有限公司

联 系 人:王利娟

地址:深圳市福田区振华路118号华丽大院1栋西座408室

电 话: 0755-83267371 / 13823141664

传 真: 0755-83350938

商务QQ: 1956362715 / 2853522054

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