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MJD122T4G

发布时间:2017-4-26 11:30:00 访问次数:88 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号: MJD122T4G

品牌:ON

参数说明:

标准包装 2,500 包装 标准卷带 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 - 其它名称 MJD122T4GOS
MJD122T4GOS-ND
MJD122T4GOSTR

规格 晶体管类型 NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 8A 电压 - 集射极击穿(最大值) 100V 不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值) 4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA 不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值 1.75W 频率 - 跃迁 4MHz 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装 DPAK-3

深圳市中意法电子科技有限公司

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