品牌:ON
参数说明:
标准包装MJD122T4GOSTR-ND;part_id=919466;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" />
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
系列
-
其它名称
MJD122T4GOS
MJD122T4GOS-ND
MJD122T4GOSTR
规格
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
8A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
4V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)
10μA
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
1000 @ 4A,4V
功率 - 最大值
1.75W
频率 - 跃迁
4MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
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