UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器，但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。
UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值，而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。
描述
可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
最大启动电压：120V
最大 VDD 电压：20V
片载0.65V VF， 0.6Ω RD 自举二极管
工作频率高于 1MHz
20ns 传播延迟时间
3A 吸收，3A 供电输出电流
8ns 上升 / 7ns 下降时间 （采用 1000pF 负载时）
1ns 延迟匹配
用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D)、 PowerPADSOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、SON-9 (DRC) 和 SON-10 (DPR)五种封装
–40°C 至 140°C 的额定温度范围
应用
针对电信、数据通信和商业的电源
半桥 应用 和全桥转换器
隔离式总线架构
两开关正激式转换器
有源箝位正激式转换器
高电压同步降压转换器
D 类音频放大器
UCC27324DR
UCC27531DBVR
UCC27200ADR
UCC2818DTR
UCC27425DR
UCC24610DR
UCC2897APWR
UCC28700DBVR
UCC27201ADDAR
UCC28528DW
UCC3895PW
UCC3952DP
UCC2895DW
UCC28060D
UCC2894D
ISO7221BDR
ISO7220CDR
ISO7220ADR
ISO7220BDR
ISO7221CDR
ISO722DR
ISO7221BDR
ISO7220CDR
ISO7220ADR
ISO7220BDR
ISO7221CDR
ISO722DR
DAC1221E
LMH6654MFX
LMH6657MFX
LMH6654MAX
DCP010505DBP-U/700
DCP010505BP
DCP010515DBP-U/700
DCP010512BP-U
DCP010505DBP-U/700
DCP010505BP
DCP010515DBP-U/700
DCP010512BP-U
