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5、FUJITSU/EUDYNA公司详细产品资料目录手册/应用资料下载
FUJITSU富士通已经与SUMITOMO住友电气工业达成成立一间专注于化合物半导体业务的合资企业优迪那半导体有限公司EUDYNA的决议。 这份决议将整和以及巩固富士通旗下的全资子公司富士通量子器件株式会社与住友电气工业两家公司的化合物半导体电子器件业务。富士通与住友电气工业将各占这间合资企业50％的股份。
这间新的合资公司优迪那半导体有限公司将专注于研究开发, 制造和销售覆盖各种用途的化合物半导体器件, 并致力于成长为这个领域科技发展的领导者, 以迅速地建立全球客户的信任.
Optical Semiconductors
激光二极管模块
光电二极管探测器与光接收器模块
光收发器模块
可视激光二极管
微波器件
Sumitomo 住友电气工业设计、生产并销售基于GaAs技术制成的组件、集成电路和模块产品。电子设备部门（EDD）专注于Ⅲ－Ⅳ组件产业，供应先进和优良的产品，用于光纤通讯系统的前端模拟电路，并可提供给客户多样化的标准产品。现今，本公司已可提供10Gb/s SONET/SDH/ATM的丰富产品系列；而基于InP的40Gb/s IC也在迅速发展中，很快也将被列入我们的产品系列之中。本公司生产无线及光纤产品，以及专注于包含了epitaxial water process技术的行动／无线基站经营，顾客可选择采用以离子注入（Ion-implantation）及Epitaxial组件技术为本的多种GaAs MESFET 制作法.
光纤产品GaAs IC
F01 Series 前置放大器IC
F03 Series 限制放大器IC
F05 Series LD驱动IC
F06 Series LED驱动IC
F08 Series PD/APD前置放大器模
无线产品GaAs IC
P01 Series 中等功率FET
P04 Series PDC/GSM/AMPS基站/推进器
P05 Series PHS基站
P06 Series CDMA/PCS基站
--通用砷化镓场效应晶体管(FET)芯片
--低噪音高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片
超低噪音已封装HEMT
--超低噪音已封装高电子迁移率晶体管(HEMT)
分立砷化镓FET
--通用砷化镓场效应晶体管(FET)
--移动通信用L波段高功率砷化镓场效应晶体管(FET)
--通用功率砷化镓场效应晶体管(FET)芯片
内部匹配型功率FET
--低失真内部匹配型砷化镓场效应晶体管(FET)
砷化镓MMIC
--移动通信用单片微波集成电路(MMIC)驱动放大器
--14GHz波段VSAT用单片微波集成电路(MMIC)功率放大器
--准毫米波单片微波集成电路(MMIC)
--直播卫星(DBS)用单片微波集成电路(MMIC)
--砷化镓微波分频器(Prescalar)集成电路
GaAs FET Chips and HEMT Chips
GaAs FET Chips for General Purpose Applications
Part Number Output Power at 1dB G.C.P
P 1dB (typ)
(dBm) Power Gain at 1dB G.C.P
G 1dB (typ)
(dB) Power-added Efficiency
η add (typ)
(%) frequency
f
(GHz) Drain Source Voltage
V DS
(V) Drain Source Current
I DS
(mA) Chip Type Frequency Band
FLC087XP 28.5 7.0 31.5 8.0 10 180 XP C
FLC157XP 31.5 6.0 29.5 8.0 10 360 XP
FLC307XP 34.8 9.5 37.0 4.0 10 720 XP
FSX017X 21.5 11.0 42.0 8.0 8 38 X X
FSX027X 24.5 10.0 41.0 8.0 8 77 X
FLX257XV 33.5 7.5 31.0 10.0 10 600 XV
FLK017XP 20.5 8.0 26.0 14.5 10 36 XP Ku
