OCP8155是一款集成了650V MOSFET高精度离线式LED恒流驱动芯片，可应用于输出功率以内的LED恒流驱动电源，支持全电压输入AC85V~265V。芯片封装形式：DIP-8L，利用原边反馈技术，无需TL431、光耦和反馈电路便能实现很好的线电压调整率和负载调整率，极大的节约了系统成本和尺寸空间。
OCP8155具备完善的保护功能，其利用VCC脚进行过压检测，一旦检测到过压信号芯片便进入打嗝工作状态；芯片利用FB管脚实现了短路检测，一旦发现短路信号芯片便会进入较低的工作频率以限制输出功率，同时芯片还具备LED开短路保护、FB短路保护、欠压锁定和过温保护功能以保证整个系统在恶劣的工作环境中安全可靠的工作。
特征：
z集成650V功率MOSFET
z采用原边反馈技术，无需次级反馈电路
z无需环路补偿
z±3%的恒流精度
z支持AC85V~265V全电压范围输入
zLED开路保护和短路保护
zFB对地短路保护
z芯片过温保护
z欠压锁定功能
zCS脚电阻开路保护
z工作温度范围：TA=-40 ~ 85℃
zDIP-8L封装
应用： LED日光灯 E27、Par灯、筒灯 LED球泡灯、射灯 其他LED照明
厦门联芯12寸厂预计最快第二季导入量产，初期产能5千片，年底将扩增至1万片，联电预估，联芯今年整体产能可望占营收比重达5%至10%之间。
联芯是由联电、厦门市政府与福建省电子信息集团三方共同合资的12寸晶圆代工厂，资本额20.7亿美元，联电预计5年内出资13.5亿美元;联芯去年底完工投产，创下联电20个月就开始量产的12寸厂新纪录。
联芯已完工的晶圆厂，规划月产能共5万片，目前量产的第一座厂以导入40nm制程为主，月产能约1.1万片，联电预计最快第二季将其中5千片转量产28nm制程，年底再扩增5千片，合计1万片的28nm制程，等于第一座厂月产能共1.6万片，等2.5万片填满后，再考虑量产另一座2.5万片的厂。
联电指出，该公司技术授权28nm技术给子公司联芯，技术授权金额2亿美元，将依进度认列技术授权金;但因联芯为子公司，对联电仅有现金收入，权利金不算获利，另预估联芯今年整体产能可望占营收比重达5%至10%之间。 半导体业界认为，联电在南科的28nm技术良率已趋水平，胜过中芯，看好技术授权联芯的竞争力。
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