型号：FDP18N50
品牌：FSC
参数说明：
标准包装
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包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列
UniFET™
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2860pF @ 25V
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
235W（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
265 毫欧 @ 9A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
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