品牌:FSC
参数说明:
标准包装FCPF850N80Z-ND;part_id=4966179;ref_supplier_id=261;ref_page_event=Standard Packaging" />
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包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
SuperFET® II
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 600μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1315pF @ 100V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
28.4W(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 3A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
深圳市中意法电子科技有限公司
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